从半导体激光器产生的热量在热沉中的扩散入手,对列阵单元器件间的热相互作用进行了分析,提出了该过程是通过热流的扩散而发生作用的观点。通过这一分析获得了确定列阵器件中单元器件间距的理论依据。对二维列阵中上、下层器件的热相互影响以及脉冲工作的占空比进行了讨论,并将结果应用到1.55 μm半导体激光列阵器件中。采用漏光波导结构的单元器件,实现了二维2×2×4两种列阵,其脉冲输出峰值功率分别达到7 W和11 W。