报道了法布里-珀罗干涉仪用作半导体激光器外腔的选模原理和选模及锁模实验。通过压电陶瓷调节F-P干涉仪的间距,实现了半导体激光器本身的静态及动态单纵模运转,在调制频率为656 MHz的情况下,获得了近变换极限的外腔锁模高斯形超短脉冲,脉宽为13 ps,时间带宽乘积为0.46。最后讨论了F-P干涉仪对半导体激光器的模式特性的影响。