基于3GHz CMOS低噪声放大器优化设计

在CMOS射频低噪声放大器的设计中还存在着一系列未解决的问题。本文系统讨论了目前CMOS射频低噪放的三种主流拓扑结构(共栅结构、共源共栅级联源极负反馈结构、反相器结构)的性能，讨论的重点是低噪放的噪声

针对低噪声放大器实际电路往往和仿真结果出入较大、调试困难等特征，以TRL校准件和芯片量测板为平台量测出芯片的S参数，通过和厂商提供的S参数比拟，在此基础上通过射频仿真软件设计出的低噪声放大器，在实际测

分析了低噪声放大器设计中最常用的源极电感负反馈输入匹配结构,指出其存在的缺陷及如何改进,即利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感Lg,同时移除源极负反馈电感Ls。应用这种改进型输入匹配结构,基于0.

摘要 :无线接收机小型化及低成本的发展趋势 ,要求人们解决高集成度及低功率的问题 ,从而推动了将射频部 分与 基带电路部分实现单片集成的研究 ,我们给出了利用 0.18 μm CMOS 工艺设计的 5

在恒功耗条件下,通过考虑以往被忽略掉的栅极寄生阻抗和外加电容对噪声放大器噪声系数的影响,结合低噪声放大器(LNA)的等效小信号模型,推导出噪声系数表达式,提出恒功耗条件下噪声优化的方法。同时对提出的噪

在一个无线接收系统中,为了获得良好的总体系统性能,需要一个性能优越的前端,而低噪声放大器就是前端的一个重要组成部分。

低噪声放大器是信号接收机第一级的主要部件,其设计和优化对接收机灵敏度的提高起着决定性的作用,基于优化放大器噪声性能的目的,通过对稳定性判别系数、噪声系数和三种不同功率增益的理论分析,提出了一种最小噪声

为了实现低噪声放大器(LNA)同时实现低噪声、高增益及高线性度的目的,采用了偏置电路、最小噪声匹配及最大输出增益匹配相结合的方案。ATF54143工作在(3 V,60 mA)使其具有极高线性度,整体电

本文介绍了一种采用特许0.18 m RFCMOS技术设计的新型低复杂度超宽带3.1–10.6 GHz低噪声放大器(LNA)。 超宽带LNA仅由两个连接了级间电感器的简单放大器组成。 利用电阻电流重用和

BFP420晶体管设计2.4GHz低噪声放大器

用BFP520设计的1.9GHz低噪声放大器

分析了进行功耗限制条件下怎样得到低噪声放大器的最优噪声,并就阻抗匹配及小信号电压增益进行了详细讨论.介绍了采用0.25μmCMOS工艺设计的工作在2.4GHz频率下的全集成低噪声放大器.模拟结果表明,

一种基于CMOS工艺的2.4GHz低功耗低噪声放大器设计.caj

基于CMOS工艺的一种K波段低噪声放大器设计.caj

1.8V5.2GHz差分结构CMOS低噪声放大器.rar