XeCl(308 nm)脉冲准分子激光淀积类金刚石薄膜
利用XeCl(308 nm)脉冲准分子激光淀积技术在功率密度5×108 W/cm2、室温、真空度10-3Pa的条件下,制备出不含氢成分的类金刚石薄膜,研究了类金刚石薄膜的特性及其随制备工艺条件的变化规律。研究了激光诱导的碳等离子体发射光谱,探讨了类金刚石薄膜的形成机理。
利用XeCl(308 nm)脉冲准分子激光淀积技术在功率密度5×108 W/cm2、室温、真空度10-3Pa的条件下,制备出不含氢成分的类金刚石薄膜,研究了类金刚石薄膜的特性及其随制备工艺条件的变化规律。研究了激光诱导的碳等离子体发射光谱,探讨了类金刚石薄膜的形成机理。