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美国光谱技术公司研制出一种高亮度激光等离子体源,用于集成电路的χ射线光刻术的快速生产。该法可能使晶片生产效率大大提高。目前,在集成电路平版印刷术中紫外线法占统治地位,然而该技术无法满足亚微米线宽的要求
为了迅速突破集成电路的X射线光刻工艺,华盛顿州贝尔里尤的Spectra Technology研究小组发展了一种高亮度激光等离子体源。用这种X射线光刻可望大大提高电路板的生产效率。
本文报道了一个软X射线URA(uniformly redundant arrays)编码孔成像的光学图像处理方法.利用相干光学解码图像处理技术给出了模拟靶图像.
利用等离子体波导实现光场感应电离(OFI)X射线激光放大,一方面可以降低产生X射线激光的抽运激光阈值,从而提高由于自散焦而降低的有效激光功率密度;另一方面,由于等离子体中产生的大量电子被束缚在等离子体
扫描透射X射线显微术(STXM)是近年发展起来的基于第三代同步辐射光源的新型谱学显微技术。上海光源已在覆盖大多数重要元素吸收边的250~2000 eV光子能量段实现了STXM技术。基于上海光源STXM
在上海光机所6路激光装置上成功地进行了软X射线激光增益实验,利用自制的一维空间分辨掠入射光栅光谱仪研究了1mm厚平板靶激光等离子体中铝和硅的类锂离子的自发发射放大(ASE)性能.实验表明,Al10+离
在109至748 nm波段已观察到大量粒子数反转;它们是由六种元素用激光等离子体发出的宽带软X射线能流通过内壳层和/或多电子离化-激发光电离过程泵浦产生的。当用25~300 mJ、70 ps和10 n
根据文献资料,等离子体中的激光辐射能量转换成软X射线的转换效率α的最大值α
收稿日期:1989-09-26
对椭圆型聚焦晶体谱仪配X射线CCD相机的X射线谱测量系统进行了优化设计。优化设计后的椭圆型聚焦晶体谱仪系统的工作距离981.56 mm和摄谱范围0.133~0.756 nm,并具有很好的谱分辨本领(λ
本文讨论了两种适用于X射线激光实验的聚焦型弯晶谱仪和针孔晶体谱仪.给出了弯晶谱仪的设计参数,以及针孔晶体谱仪在实验中摄得的线状Mg和CaF2等离子体空间分辨谱;分析了晶体谱仪在X射线激光实验中的应用.
报道了能量比为110、间隔为200 ps、脉冲宽度为120 ps的双脉冲激光驱动线状等离子体的X射线发射特性。通过与单脉冲驱动情况比较,获得了预脉冲作用下,等离子体轴向辐射增强的空间分布特性。并针对若
为了诊断0.2~2 nm的激光等离子体X射线,研制了一种新型的基于时间分辨和空间分辨的聚焦型椭圆弯晶谱仪,采用两个完全相同且对称分布的通道可以同时获得谱线的空间和时间分辨率。给出了弯晶谱仪的设计参数,
利用铜激光等离子体L带特征线(1.15nm)辐射,对PTGS的衍射效率进行了标定,确定了PTG的基本参数。报道了利用PTGS研究激光等离子体软X射线辐射特性的系列实验结果。
在激光等离子体典型参数条件下,利用磁撞-辐射模型计算了类锂硅离子5f-3d和4f-3d跃迁的粒子数反转比率和激光增益系数。讨论了不同热带条件和不同冷却速度下,激光增益系数的变化。计算结果表明,高功率、
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