双离子束React溅射制备HfO2薄膜的性能

溅射功率对ZnO:Ga薄膜的结构和光电性能的影响

超薄HfO2高K栅介质中电场依赖的时变击穿（TDDB）特性 ，杨红，萨宁，本文利用高温工艺制备了等效氧化层厚度（EOT）小于0.9纳米的超薄HfO2高K栅介质MOS器件，研究了其时变击穿（TDDB）特

研究了HfO2 / Co界面和Co / HfO2界面对垂直Co / Pt多层膜中异常霍尔效应(AHE)的热稳定性的影响。 观察到,在具有HfO2 / Co界面的垂直Co / Pt多层膜中无法获得热稳定

采用反应电子束蒸发技术在不同氧分压下制备了HfO2薄膜,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、椭圆偏振仪、X射线光电子能谱仪、1064 nm弱吸收测试仪、1064 nm激光1-on-1损伤测试系统等,对

具有和不具有Pb0.8La0.1Ca0.1Ti0.975O3(PLCT)种子层的四方(Pb0.8Ca0.2)TiO3(PCT)薄膜通过射频磁控溅射在Pt(111)/ Ti / SiO2 / Si衬底上

ZAO薄膜的制备采用溶胶–凝胶法制备Al–Sc 共掺杂ZnO 透明导电薄膜,考察了结晶性、晶界状态、紫外–可见光透射光谱及Hall 效应,并讨论其掺杂机制

利用磁控溅射法,在不同工作压强下制备了氧化钨(WO3)薄膜,研究了工作压强对WO3膜层微观结构的调控作用,并研究了WO3膜层微观结构对其电致变色性能的影响。研究结果表明,制备的WO3薄膜属于非晶相,表

梳状滤光片是一种特殊的非均匀光学薄膜器件, 其膜层折射率渐变分布结构使它与常规均匀光学薄膜相比具有更好的光学和机械性能。利用反应磁控溅射工艺, 改变沉积SiOx(0≤x≤2)膜氧化程度, 获得折射率从

激光预处理是提高薄膜元件抗激光损伤阈值的重要手段。对电子束蒸发HfO2, SiO2块状材料镀制的基频高反膜进行了1-on-1和R-on-1阈值测试,比较分析了两种测试情况下出现的典型损伤形貌。实验发现

工作功率对射频磁控溅射沉积硼薄膜性能的影响