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在原位自组织的多面n-GaN岛上通过InGaN / GaN量子阱的自调节生长实现白光发射
在有效质量包络函数理论的框架下,从理论上研究了电场对掺锌(ZB)InGaN / GaN量子点(QD)中激子态和光学性质的影响。 数值结果表明,电场使InGaN / GaN QD中的基态激子结合能,带间
Tensorflow中创建自己的GAN的教程
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长具有不同阱厚度的绿色发光InGaN / GaN多量子阱(MQW)结构。 通过依赖于温度的光致发光(PL)测量来研究这些样品中的定位效应。 观察到PL峰值能量随
具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析
GaN nanowire fabricated by selective wet-etching of GaN micro truncated-pyramid
Showa Denko K.K. (SDK)日前推出采用氮化镓的近紫外线和绿色LED芯片,可分别用于LCD屏幕的白色照明光和大型背光。这种基于GaN的近紫外线LED使用了磷,可实现白色照明,具有三种主
设计了InGaN/GaN 超晶格垒层替代p-GaN 和n-GaN 附近传统GaN 垒层的InGaN/GaN 多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出两种LED 结构的光功率-电
GaN基可调谐光栅外腔半导体激光器，陈少伟，吕雪芹，本文研制了Littrow结构的GaN基外腔半导体激光器，利用衍射光栅作为光反馈元件，在半导体激光器和衍射光栅之间形成耦合外腔，较好的�
宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪束研究最活跃的半导体材料系，其高亮度发光二扳管和激光器一出l现即以惊人的速度实现了商品化
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