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铜纳米线阵列表面池沸腾换热实验研究，史波，陈凯，采用直流电化学沉积法在光滑铜表面制备五种不同高度（$3mu m$、$5mu m$、$10mu m$、$20mu m$和$30mu m$）的铜纳米线阵列并
GaAs纳米线轴向pn结阵列的电学特性研究，陈雄，李军帅，与普通平面生长不同，半导体纳米线在生长时可以沿着垂直于侧面的两个维度释放由于晶格不匹配引起的应力应变，可以方便地在径向或
取向良好的Sm掺杂SnO2纳米阵列的表面缺陷和气敏性能
通过涂覆碳纳米管网络薄膜,高度增强了CuO纳米线阵列的场发射
超级电容器用聚苯胺纳米线/ TiO2纳米管阵列电极的制备
硅氧等离子体刻蚀产生的SiO蒸气中二氧化硅纳米线束阵列的制备
我们已经比较研究了非对称p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -GaN和p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -Si双异质结发光二极管的电致发光(EL)性能
通过选择性区域外延(SAE)进行的III–V半导体多量子阱纳米线(MQW NW)对于开发用于光通信,硅光子学和量子计算等应用的纳米级发光器件非常重要。 为了获得高效的发光器件,不仅高质量的材料,而且对
ZnWO4 单晶衬底上ZnO 薄膜的晶核发育与形貌分析，臧竞存，田战魁，ZnWO4 单晶的a晶面与氧化锌c晶面晶格匹配很好，是制备氧化锌薄膜的优良衬底。 本文采用溶胶-凝胶法在ZnWO4 单晶衬底上制
不同的退火气体对FTO衬底上生长的CuO薄膜的生长和光电流性能的影响
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