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基于InAs的InAs / GaAsSb超晶格长波长红外探测器的ICP蚀刻
Superjunction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备，宋庆文，张玉明，基于水平式低压热壁化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition-CVD）生长系统，采用Al离子注
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