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提出了包括隔离层和成核层的双重AlN缓冲层结构,以通过金属有机化学气相沉积来改善蓝宝石衬底上的AlN膜的生长。 该方法旨在减弱负氮化作用,并改善初始生长阶段的侧向生长条件。 发现适当增加成核层的厚度有
AlN缓冲层厚度对脉冲激光沉积在c蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜性能的影响
介绍了用于外延生长III-V族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长III-V族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机
分别采用液相外延瞬态法的两种不同模式--步冷法和超冷法生长了GaAs0.9Sb0.1薄膜。采用X射线衍射谱、扫描电镜、拉曼光谱仪研究了GaAs0.9Sb0.1薄膜的晶体结构、截面形貌和发光性能等。研究
Na掺杂p型ZnMgO薄膜制备与p-ZnMgO:Na/n-ZnO p-n结LED原型器件研究，薛雅，叶志镇，采用脉冲激光沉积方法制备出晶体质量较好的Na掺杂p型ZnMgO薄膜，薄膜沿c轴方向柱状生长，
掺杂GaSb薄膜的光学性质，刘雪，王登魁，采用分子束外延技术在GaAs衬底上异质外延N型Te-GaSb薄膜，用低温光致发光谱分析掺杂对GaSb薄膜发光的影响。对于N型Te-GaSb，Te原子会占据S
硅衬底上生长的MODFET的DC特性和微波频率特性的详细描述与介绍
衬底温度对MOCVD法制备的Sb掺杂ZnO薄膜的光学和电学特性的影响，李硕石，程轶，采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，于不同衬底温度下在c面蓝宝石衬底上制备了Sb掺杂的ZnO薄膜,并对薄膜进
通过磁控溅射Craft.io将具有不同底层的SmCo基薄膜沉积在650 1C的Si衬底上。 研究了不同底层对晶体结构和磁性能的影响。 结果表明,Al,Cu和Ag底层不能对晶体结构和磁性能产生正贡献。
分子束外延在MgAl2O4(001)上生长的压缩应力下的Mn3O4薄膜的磁性
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