Ag掺杂SnO2单层的电子结构和光学性质

用第一性原理FLAPW方法研究了掺Ag的SnO2单层的电子结构和光学性质。 结果表明,Ag:SnO2单层是直接间隙半导体,带隙变窄。 在掺Ag的SnO2单层的低能区中观察到几个明显的光吸收峰。 (Ag,Vo)共掺杂的SnO 2单层具有较宽的杂质带和较窄的间隙。 光谱边缘移至较低的能量区域,并增强了可见光和红外光催化活性。 随着Ag浓度的增加,在可见光区域的吸收能力变得更强。 这些发现可用于生产新型太阳能电池和光传感器。