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绝缘体上硅FinFET亚阈值摆幅研究
电源技术[pic] 三轧厂使用IGBT型号定货号:FZ1200R16KF4S19909E图形:0[pic]定货号:FZ1800R16KF445/200749图形:[pic]--------------
主要用于IGBT结温估算。
基于Multisim仿真,有实验报告
从单层MoS2场效应晶体管的磁滞栅极传输特性中获得的缺陷状态的密度
钼掺杂铟锌氧化物薄膜晶体管的制备与表征
关于场效应管的一些原理图。。
我们揭示了一种新颖的方法来制造具有反向交错反向沟道刻蚀结构和铜(Cu)源/漏(S / D)电极的非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜晶体管(TFT)。 特别是,使用灰色调掩膜来定义S / D电极和有源层。
松下电器产业中央研究所试制成一种晶体管结构的三极半导体激光器件,并在84年光电子展览会上展出。这是GaInAsP/InP双异质结构的器件,同时兼备隐埋异质结激光器和异质结npn双极晶体管两种功能。该器
在典型的工艺处理顺序里,wafer要反复几次氧化和蚀刻才能得到masking层。这些多次的masked氧化使得硅表面非常不平坦。最终表面的不平整必须特别注意因为现代的精细的光刻有非常狭窄的field深
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