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对光学某些模型的介绍,涵盖了许多基础性质的应用
氢化物发生制备纳米SnO2及其气体传感特性研究，席毛洋，刘睿，本文利用氢化物发生得到的SnH4可在热钨丝表面上发生化学气相沉积这一现象，提出了一种制备了钨丝表面活性炭负载的SnO2材料的新方法�
我们使用基于自旋密度泛函理论的第一原理,以数字方式给出了掺钛ALP系统的铁磁和自旋分辨电子性能。 发现Ti杂质是自旋极化的,并且根据计算出的能带结构表明导电载流子的100%极化。 此外,还证明了每Ti
AlGaAs / GaAs纳米线/量子阱异质结构的制备和光学性质
液相外延技术生长GaSb量子点的结构和光学性质
利用真空热蒸发在石英基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜, 研究厚度对薄膜的结构、形貌和光学特性的影响。薄膜的结构由X射线衍射(XRD)仪和拉曼(Raman)光谱仪测得, 表面形貌用原子力显微镜(AFM)
单斜晶相HfO2电子结构与光学性质的第一性原理计算，冯丽萍，刘正堂，利用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法计算了单斜晶相二氧化铪(m-HfO2)的电子结构，得到了m-HfO2的总态密度、
通过溅射和热蒸发方法制备了具有不同形态的SnO2纳米材料,例如纳米膜,纳米棒和纳米线。 然后研究了它们的氢感测特性。 结构表征表明,这些纳米材料中的SnO2是四方的。 纳米膜,纳米棒和纳米线的表面体积
Au掺杂ZnO薄膜中Au的化学价态及其对薄膜电学和光学性质的影响，徐莹，姚斌，利用射频磁控溅射和后热处理的方法制备了Au掺杂的ZnO (ZnO:Au) 薄膜。研究发现在室温条件下生长的ZnO:Au薄膜
半导体光谱和光学性质 沈学础 第二版。科研好伴侣，光学研究者必备
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