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简介 在过去的几十年中,半导体行业已经采取了许多措施来改善基于硅 MOSFET (parasitic parameters),以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。行业效率標準以及市场对效率技

各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。这项新的智能功率模块技术提供

碳化硅表面改性对SiCp/2014Al复合材料组织与拉伸性能的影响，赵卫星，邱丰，在本文中，通过搅拌铸造法成功制备出了SiCp/2014Al复合材料，其中，SiC颗粒分别进行酸洗、氧化、镀钛三种不同的

碳化硅颗粒尺寸对SiCp/Al2014复合材料组织与拉伸性能的影响，赵卫星，邱丰，在本文中，通过搅拌铸造法成功制备出了SiC颗粒尺寸为5微米、10微米、15微米的SiCp/2014Al复合材料。研究了

碳化硅（SiC）MOS管是一种在电力行业中广泛应用的关键技术。它具有比传统硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压容量等优势。在工业、能源和汽车等领域，

宽禁带半导体行业正迎来碳化硅与氮化镓的崭露头角。这两种材料凭借出色的性能，正逐步成为半导体领域的新宠。碳化硅以其高强度、高硬度、高热稳定性等特点，在电力电子、高温器件等领域展现出广阔的应用前景。而氮化

分析了碳化硅作为空间反射镜材料的各种优点,研究了加工和检测离轴碳化硅非球面反射镜的各项关键技术。利用自行开发的非球面加工中心FSGJ-2对离轴碳化硅非球面进行了研磨、抛光和轮廓测量,分析了计算全息补偿

进入21世纪,开关电源技术将会有更大的发展,这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作,沿着下述方向,开发与开关电源相关的产品和技术。 碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理

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固着磨料工艺主要针对某空间相机的高精度平面折反镜而开发,分别从微观结构的仿真计算和人工神经网络两个角度对此工艺加工碳化硅反射镜表面粗糙度进行分析。一方面引入了二维粗糙度的在微观结构仿真概念,在人工神网