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氮化铝薄膜的制备及介电性能研究，希望对大家有用
实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝(AlN)薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Al和N发生完全反应制备高质量符合化学计量比的AlN薄膜。讨论了脉冲能量密度、
PECVD制备光学薄膜材料折射率控制技术_薛俊
以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响。用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表
退火对双离子束溅射沉积Ta2O5薄膜中残余应力的影响
退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响
快速热退火对在不同衬底温度下沉积的重掺杂ZnO薄膜中电输运的影响
利用反应离子束溅射、反应磁控溅射和电子束蒸发在K9基底上沉积ZrO2薄膜,并用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行测量。通过数值相关运算,对不同工艺条件下薄膜生长界面进行定量描述,得到了薄膜表面的粗糙度指数
用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。以325 nm He-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形
为了研究氮气压强对脉冲激光沉积(PLD)类金刚石(DLC)薄膜和红外光学特性的影响,在脉冲激光沉积类金刚石薄膜的实验过程中,把沉积腔抽真空到10-5 Pa,再在沉积腔中分别充入10-3、10-2和10
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