集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的MOS栅极硅晶体管结构所需要的基础工艺。每一步工艺生产的说明如下: 第一步:增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜,它可作为掺杂的屏障。这层二氧化硅膜被称为场氧化层。 第二步:光刻工艺。光刻制程在场氧化层上开凹孔以定义晶体管的源极、栅极和漏极的特定位置。 第三步:增层工艺。接下来,晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。 第四步:增层工艺。在第四步,晶圆上沉积一层多晶硅作为栅极构造的。 第五步:光刻工艺。在氧化层/多晶硅层按电路图形刻蚀的两个开口,它们定义了晶体