A PUFs based Hardware Authentication BLAKE Algorithm in 65nm CMOS

美国夏威夷火努鲁鲁举行的超大规模集成电路(VLSI)2006年专题研讨会上,瑞萨科技公司宣布,开发出一种有助于采用65nm(65纳米)制造工艺生产的SRAM(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。新

深亚微米工艺下MOS管漏电流,对MOS管漏电原因进行了详细分析。除此之外,针对目前深亚微米工艺下MOS管漏电降低技术进行了介绍。

意法半导体推出了首款65nm制造技术的低功耗移动硬盘驱动器(HDD)迭代读通道模块样品。ST的迭代通道信噪比(SNR)增益是硬盘驱动器市场保持存储容量年复合增长率高达40%的关键技术。 这个移动IP

台湾主板业内人士表示,AMD推出四款65nm Athlon 64 X2双核心新品后,将会于今年第一季度再推出两款65nm Athlon 64单核心产品,不仅成本上进一步降低,同时功耗表现也会下降至45

缪彩琴1 翁寿松2(1无锡机电高等职业技术学校,214028;2无锡市罗特电子有限公司,214002)摘要:本文介绍了当前世界顶级半导体公司、材料公司、设备公司和微电子科研中心研发65nm、45nm、

Avago宣布已经在65纳米(nm) CMOS工艺技术上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能输出。持续其在嵌入式SerDes技术的领导地位,Avago最新一代的工艺技术能够节省高达2

半导体工业目前已经进入65纳米及以下技术时代,关键特征通常为纳米级,如此小特征的制造工艺要求特殊的测量仪器|仪表,以便能够表征出纳米级几何尺寸,从而检验出任何偏离工艺规格中心值的情况,确保与设计规格保

Altera宣布,低功耗、低成本Cyclone III系列65-nm FPGA所有8个型号的产品级芯片实现量产。自从2007年3月推出以来,Cyclone III系列产品已迅速应用于无线、军事、显示、

随着工艺技术向65nm以及更小尺寸的迈进,出现了两类关键的开发问题:待机功耗和开发成本。这两个问题在每一新的工艺节点上都非常突出,现在已经成为设计团队面临的主要问题。在设计方法上从专用集成电路(ASI

Cadence公司的SoC Encounter GXL是可以在设计流程的不同阶段提供良品率分析和优化的工具。它能提供多模式和多角度的时序分析,并且最终可实现完整的统计时序分析,此外还具有时钟网格综合功