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工作功率对射频磁控溅射沉积硼薄膜性能的影响
通过化学浴沉积(CBD)Craft.io,通过无机前体硫酸锌,硫代硫酸氨和La(2)O(3)的共沉淀React,制备了未掺杂和La掺杂的ZnS薄膜。 使用能量色散X射线光谱法(EDS)分析膜的组成。
沉积温度对非晶碳薄膜结构影响的研究,章晓中,万蔡华,铁掺杂的非晶碳薄膜用脉冲激光沉积技术沉积于硅衬底之上。针对这种异质结的电流电压测试显示异质结势垒高度在300摄氏度以下逐渐减
具有高二阶光学非线性的有机材料在下一阶段具有重要的应用计算,电信和其他行业的一代。 由于电光系数高和低介电常数的N-苄基-2-甲基-4-硝基苯胺(BNA)单晶已经生长并且它们的光学性能已被广泛研究。
低压化学气相沉积法生长的B掺杂ZnO薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极。以Zn(C2H5)2和H2O为前驱体,B2H6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了B掺杂
采用脉冲激光双光束沉积系统在Si(111)衬底上生长了掺Mg的GaN薄膜和未掺杂GaN薄膜.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、室温范德堡霍尔测量及光致发光(PL)光谱对两类薄膜进行对比
沉积气压对非晶碳薄膜结构和性能的影响,王成兵,,采用直流-脉冲等离子体化学气相沉积技术,以甲烷和氢气为前驱气源,制备了氢化非晶碳薄膜(a-C:H)。考察了沉积气压(6, 8, 11, 15, 20 P
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以Al2O3为衬底,采用金属有机汽相沉积(MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了分析.研究表
采用对靶磁控反应溅射技术以N2和H2为反应气体在硅(100)和石英衬底上制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜.利用台阶仪、原子力显微镜、紫外-可见(UV-VIS)光吸收和傅里叶红外透射光谱(FT
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