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通过在玻璃基板上对锡进行阳极氧化来制备SnO 2薄膜。 阳极膜的表面形貌与原始的Sn膜一致,表明氧化过程主要是沿着Sn颗粒垂直发生的。 所制备的阳极SnO 2薄膜在表面具有非晶SnO 2相,随后在Sn
离子束溅射沉积氧化镁薄膜的取向竞争研究，李啸，卢会平，用离子束溅射沉积，改变溅射离子束能量、镀膜时间、衬底倾角度，在玻璃衬底上制备了MgO薄膜。用X射线衍射对样品进行了表征，对MgO�
采用对靶磁控反应溅射技术以N2和H2为反应气体在硅(100)和石英衬底上制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜.利用台阶仪、原子力显微镜、紫外-可见(UV-VIS)光吸收和傅里叶红外透射光谱(FT
在本报告中，我们介绍了聚偏氟乙烯/纳米氧化锌（PVDF / ZnO）复合薄膜的基本直流导电机理。 通过溶液流延法已经制备了PVDF基体中的氧化锌的纳米复合膜。 发现空间电荷限制传导（SCLC）是较高电
纤维基ZnO/Ag/ZnO多层膜表面形貌的AFM观察，刘江峰，邓炳耀，在室温下，采用磁控溅射法在PET纤维上制备ZnO/Ag/ZnO多层膜，并运用原子力显微镜（AFM）对薄膜的表面形貌进行了观察。结果
选择含氟嵌共聚物组成、溶剂，利用虚拟仿真糸统的分子计算功能模拟分子链构象，利用DLS测定溶液中聚集体尺寸，观测共聚物分子的聚集行为及胶束形成过程；对选定的每种含氟丙烯酸酯嵌段共聚物溶液进行旋涂和浇铸成
§8.1 概述 0.5学时 课程内容: 1 器件进行表面钝化的必要性 1.1 早期制造的器件电性能的劣化现象 1.1.1 劣化现象 1.1.2 导致器件失效的主要参数 1.2 器件电性能劣化的原因在器
与表面态有关的CuSCN薄膜的取向生长和电性能
采用射频磁控溅射与电子束蒸发的方式, 制备了ZnO/Ag/ZnO三层复合薄膜, 研究了Ag薄膜厚度以及电子束蒸发的沉积速率对复合薄膜光电性能的影响。实验结果表明, 当Ag薄膜厚度为8 nm、电子束蒸发
材料表面性质对微藻细胞粘附的影响，袁浩，张欣茹，微藻作为生物质能源所发挥的重要作用已经被越来越多的人所认同，然而微藻极易粘附于光生物反应器的表面，并已成为制约其大规模应
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