采用准分子激光对SiC陶瓷表面进行了不同脉冲数、不同单脉冲能量和不同重复频率的辐照实验, 获得了SiC陶瓷的辐照损伤二维和三维表面形貌, 并分析了微观作用机制。结果表明, 193 nm准分子激光辐照S
已经研制出各种类型的稀有气体卤化物准分子激光器,业已证明它们在紫外区产生髙效率、高功率的可能性。然而大部分报导是讨论稀有气体氟化物体系,特别是用放电作泵浦的情况。
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在紫外预电离准分子激光器中,KrF激光的脉冲能量一般大于XeCl激光脉冲能量。在X光预电离条件下,呈现相反的趋势。本文通过激光参量研究及动力学过程分析,解释了上述现象。
半导体工程师寻找有用的自显影光刻胶已有多年。这种光刻胶可用于半导体加工过程中很少几个阶段,可能节约生产成本。虽然已研究过几种这类材料,但它们都有一种或多种问题,诸如副产品有毒、曝光需要高强度辐照量、化
从70年代开始作为可见和紫外波段有效辐射源的准分子激光器普及性就在增长。在准分子激光器中,KrF*、XeCl等惰性气体的卤化物激光器有最高特性。目前继续提高输入介质的能量是个艰难任务,因此,依靠混合气
靶面焦斑合束数值模拟研究可为准分子激光角多路系统建设提供重要参考。首先介绍了靶面激光焦斑合束的计算方法,进而基于单束激光焦斑形态和光束指向稳定性开展了18束准分子激光靶面合束计算,给出了合束焦斑的形态
由于美国GCA公司集成电路系统组采用4600 L型图形发生器,使激光进一步“侵入”半导体生产工艺。这种系统弥补了紫外弧光灯和电子束系统的缺陷,可望比紫外弧光灯速度快得多,而比电子束系统便宜得多。
本文报道一台新颖的双通道放电泵浦的准分子激光器,采用折叠式光路构成一个较长的激光腔(2m),同时适当拉长放电时间,获得了150ns、150mJ的激光输出。
以准分子激光在软性材料上制作图案
