研究了恒温陈化时间、搅拌时间对在高碱度条件下,以液相-恒温陈化法制备ZnO晶须的影响。结果表明,恒温陈化5 h,搅拌时间为1.5～2 h条件下,制备得到尺寸均一、结构规整、晶须产率都较高的ZnO晶须。
交替磁控溅射法制备SiC/ZnO纳米颗粒的微观结构及发光机理研究,郑越,师春生,本文采用了交替磁控溅射以及在N2保护下退火成功制备了SiC/ZnO纳米颗粒膜,实验结果表明:退火温度对SiC/ZnO纳米
离子束溅射制备SiO2薄膜的折射率与应力调整
高密度储能电容器是当前研究的热点,为探究氧化铝薄膜在高密度电容器中潜在的应用,采用直流磁控溅射方法制备了氧化铝薄膜,薄膜质地均匀致密,表面平整光滑。X射线衍射谱分析表明制备的薄膜属于γ晶型的氧化铝。薄
溅射屏幕(SplashScreen),也叫程序启动画面的制作
磁控溅射设备一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种,等等介绍了磁控溅射技术的发展与原理。
磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管,张莹莹,王雄,采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜。该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33 nm。利用光刻工艺制作了以In2O3晶
缓冲层对ZnO薄膜特性影响的实验研究,张传瑜,赵晓凤,本文主要是采用射频磁控溅射的方法在玻璃衬底上分别以钼,二氧化硅为缓冲层成功制备了ZnO透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、�
采用射频磁控溅射技术,在不同衬底温度下制备了ZrO2-8%(wt)Y2O3薄膜。利用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜表面进行了全谱和窄谱分析。结果显示,不同衬底温度下沉积的薄膜表面组成存在差异,但均存
水灰比W/C对室温制备水泥-氧化铝陶瓷的性能的影响,刘云艳,傅正义,本文以纳米水泥粉体和纳米氧化铝粉为原料,在室温下制备水泥-氧化铝陶瓷。通过水化程度、孔隙率、抗压强度的测定,研究了水灰比�
