# GaN HEMT器件特点
GaN HEMT器件测试方法与技术详解
该资源为电子信息工程、通信工程、微电子学等相关专业的本科生和研究生以及从事半导体器件测试研究的工程师和技术人员提供了GaN HE
AlGaN GaN HEMT的改进DC模型
本文提出了一种改进的GaN高电子迁移率晶体管HEMT的DC IV特性的经验模型。 改进之处在于允许Curtice模型参数随栅极-
GaN HEMT基本结构和关键参数详解
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Modulation of Multidomain in AlGaN GaN HEMT Like Planar Gunn Diode
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N等离子体处理对AlGaN GaN HEMT器件电流崩塌效应的影响
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基于GaN Hemt同步整流Buck变换器研究
分析了基于氮化镓gan高电子迁移率晶体管HEMT同步整流buck变换器的各部分损耗，主要损耗的计算公式。针对GAN同步整流管的反
A Novel Hybrid Parameter Extraction Method for GaAs GaN HEMT Modeling with Elect
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具有两个沟道层的GaN InAlGaN的新型高性能GaN基HEMT
报道了具有两个沟道层的GaN / InAlGaN的GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的潜在影响。 使用二维和双载流子器件仿真
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ClassE论文，非常经典，值得一看。
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元器件应用中的Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三极管
Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管,用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与C